FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA, Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA,
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA, Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA,
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Depletion Mode, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (th) (최대) @ Id: 360mV @ 1µA,
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 820mV @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 10µA,
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA,
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 Ohm, Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 10µA,
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.01V @ 1µA,
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA,
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Depletion Mode, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (th) (최대) @ Id: 360mV @ 1µA,
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 180mV @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Depletion Mode, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Depletion Mode, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540 Ohm @ 0V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.45V @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.2V, Vgs (th) (최대) @ Id: 220mV @ 1µA,
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 780mV @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 Ohm, Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 20µA,
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 420mV @ 1µA,
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Depletion Mode, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 2.7V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.26V @ 1µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 10µA,
