트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

AO6808

AO6808

부품 재고: 128425

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
AON6810

AON6810

부품 재고: 195

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

위시리스트에게
AOC2870

AOC2870

부품 재고: 192

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA,

위시리스트에게
AOE6932

AOE6932

부품 재고: 253

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc), 85A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, 1.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA,

위시리스트에게
AON6906A

AON6906A

부품 재고: 141209

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A, 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

위시리스트에게
AON6992

AON6992

부품 재고: 167444

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A, 31A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

위시리스트에게
AO7800

AO7800

부품 재고: 101225

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA,

위시리스트에게
AON6934A

AON6934A

부품 재고: 192175

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A, 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

위시리스트에게
AON5816

AON5816

부품 재고: 242

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA,

위시리스트에게
AON3820

AON3820

부품 재고: 237

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA,

위시리스트에게
AON6926

AON6926

부품 재고: 176157

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A, 12A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
AO4616

AO4616

부품 재고: 137081

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

위시리스트에게
AOSD62666E

AOSD62666E

부품 재고: 234

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

위시리스트에게
AO4892

AO4892

부품 재고: 184805

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,

위시리스트에게
AO4832

AO4832

부품 재고: 146127

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
AOD607A

AOD607A

부품 재고: 189762

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc), 12A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, 27 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

위시리스트에게
AO9926C

AO9926C

부품 재고: 121665

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,

위시리스트에게
AO4854

AO4854

부품 재고: 178118

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

위시리스트에게
AOE6930

AOE6930

부품 재고: 215

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc), 85A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V, 0.83 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA,

위시리스트에게
AO6608

AO6608

부품 재고: 153844

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta), 3.3A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, 75 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA, 1V @ 250µA,

위시리스트에게
AON6994

AON6994

부품 재고: 185070

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A, 26A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

위시리스트에게
AON6912A

AON6912A

부품 재고: 191296

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, 13.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
AO8808A

AO8808A

부품 재고: 192801

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
AON2810

AON2810

부품 재고: 115713

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

위시리스트에게
AO6802

AO6802

부품 재고: 113666

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
AON5820

AON5820

부품 재고: 177428

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
AON6934

AON6934

부품 재고: 185097

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A, 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

위시리스트에게
AO4884

AO4884

부품 재고: 124312

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,

위시리스트에게
AO9926B

AO9926B

부품 재고: 120793

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,

위시리스트에게
AO6601

AO6601

부품 재고: 110328

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게
ALD212900APAL

ALD212900APAL

부품 재고: 19683

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 Ohm, Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 20µA,

위시리스트에게
ALD110800PCL

ALD110800PCL

부품 재고: 22645

FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA,

위시리스트에게
ALD110800ASCL

ALD110800ASCL

부품 재고: 15215

FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 1µA,

위시리스트에게
APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

부품 재고: 480

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

위시리스트에게
APTM100A13SCG

APTM100A13SCG

부품 재고: 292

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA,

위시리스트에게
APTM50AM24SCG

APTM50AM24SCG

부품 재고: 372

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA,

위시리스트에게