FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 278A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N Channel (Phase Leg), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V (1.7kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 5mA (Typ),
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 208A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 317A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 3mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 278A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N Channel (Phase Leg), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 143A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 2mA (Typ),
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 15mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 150A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA,
FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
