FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 208A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 278A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 372A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 143A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 71.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 4mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ),
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.2V, Vgs (th) (최대) @ Id: 220mV @ 1µA,
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 Ohm, Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA,
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Depletion Mode, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA,
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 Ohm, Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 20µA,
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 1µA,
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 Ohm, Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 10µA,
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 780mV @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 10mV @ 1µA,
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40mA, 16mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 10µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.42V @ 1µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA,
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.42V @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 10µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 810mV @ 1µA,
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA,
FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 10µA,
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Depletion Mode, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540 Ohm @ 0V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.45V @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA,
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.9V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.35V @ 1µA,
