트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

ALD1105PBL

부품 재고: 23483

FET 유형: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD111910MAL

부품 재고: 33453

ALD1116SAL

부품 재고: 27725

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA,

AO8801AL

부품 재고: 3040

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA,

AO4611

부품 재고: 164048

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4807

부품 재고: 101238

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON7810

부품 재고: 162685

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON6816

부품 재고: 188992

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AO7801

부품 재고: 167978

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA,

AO4842

부품 재고: 129329

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 250µA,

AO6602_DELTA

부품 재고: 2963

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta), 2.7A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, 100 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

AOC3870A

부품 재고: 2965

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AO4813L

부품 재고: 3042

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,

AO4818BL

부품 재고: 2997

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON6884L

부품 재고: 3348

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,

AO8804L

부품 재고: 2971

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

AON7804_102

부품 재고: 3350

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO6604L_001

부품 재고: 3006

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

AO4801HL

부품 재고: 2966

AO4807_101

부품 재고: 2977

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO3415B

부품 재고: 2994

AOC3870

부품 재고: 2989

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AOC3860A

부품 재고: 3008

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

AON6978

부품 재고: 167457

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, 28A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AOC4810

부품 재고: 3009

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate,

AO5804E

부품 재고: 3032

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

AUIRF7103Q

부품 재고: 3052

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7309QTR

부품 재고: 108112

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7343QTR

부품 재고: 94872

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

AUIRF7303QTR

부품 재고: 101171

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 100µA,

APTM120H57FTG

부품 재고: 3119

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM50DHM35G

부품 재고: 3087

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 99A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,

APTMC120HRM40CT3AG

부품 재고: 3001

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 12.5mA,

APTC60DSKM45CT1G

부품 재고: 2944

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTM20DHM16T3G

부품 재고: 2948

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM100VDA35T3G

부품 재고: 3387

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,