트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

ALD114835PCL

부품 재고: 21080

FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Depletion Mode, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540 Ohm @ 0V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.45V @ 1µA,

ALD114804PCL

부품 재고: 23866

FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Depletion Mode, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (th) (최대) @ Id: 360mV @ 1µA,

ALD1110EPAL

부품 재고: 20563

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.01V @ 1µA,

ALD210800PCL

부품 재고: 22423

FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 Ohm, Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA,

ALD212900SAL

부품 재고: 29389

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 Ohm, Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 20µA,

ALD1102SAL

부품 재고: 18848

FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 10µA,

ALD310704APCL

부품 재고: 13531

FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA,

ALD110904PAL

부품 재고: 22024

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 420mV @ 1µA,

ALD110904SAL

부품 재고: 21998

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 420mV @ 1µA,

ALD110808APCL

부품 재고: 15203

FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 810mV @ 1µA,

ALD110900PAL

부품 재고: 21972

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA,

APTMC120TAM33CTPAG

부품 재고: 107

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 60A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 3mA (Typ),

APTM50H14FT3G

부품 재고: 1149

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 168 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA,

APTMC120AM25CT3AG

부품 재고: 283

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 113A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 80A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 4mA (Typ),

APTSM120AM08CT6AG

부품 재고: 144

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 370A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 10mA,

APTSM120TAM33CTPAG

부품 재고: 177

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 112A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 60A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 3mA,

APTSM120AM09CD3AG

부품 재고: 195

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 337A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 180A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 9mA,

APTSM120AM14CD3AG

부품 재고: 248

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 337A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 180A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 9mA,

APTSM120AM55CT1AG

부품 재고: 589

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 2mA,

APTSM120AM25CT3AG

부품 재고: 290

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 148A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 80A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 4mA,

APTMC120AM08CD3AG

부품 재고: 68

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 10mA (Typ),

APTM50HM65FT3G

부품 재고: 692

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM50AM38STG

부품 재고: 559

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,

AO4828

부품 재고: 197

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AOE6936

부품 재고: 241

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc), 85A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, 2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA,

AO4862

부품 재고: 168294

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON4803

부품 재고: 144807

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

AO8810

부품 재고: 162690

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AON6996

부품 재고: 180862

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A, 60A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6850

부품 재고: 99071

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

AO4614A

부품 재고: 181100

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AO6602L

부품 재고: 108988

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AOC3868

부품 재고: 244

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AOE6922

부품 재고: 231

AO8822

부품 재고: 186647

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

AO6800

부품 재고: 191185

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,