트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 | 디스크리트 반도체 제품 | 100

SI5933DC-T1-GE3

부품 재고: 2867

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI4563DY-T1-E3

부품 재고: 2704

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI6969BDQ-T1-E3

부품 재고: 2784

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

VQ1006P-E3

부품 재고: 2906

FET 유형: 4 N-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 90V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI4942DY-T1-E3

부품 재고: 2870

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI4940DY-T1-GE3

부품 재고: 2808

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI4816DY-T1-E3

부품 재고: 2905

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, 7.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI5509DC-T1-E3

부품 재고: 2749

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A, 4.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI4914BDY-T1-GE3

부품 재고: 118908

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A, 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI4967DY-T1-E3

부품 재고: 2883

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI4940DY-T1-E3

부품 재고: 2875

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI3529DV-T1-GE3

부품 재고: 2831

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, 1.95A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

FDMC8200S_F106

부품 재고: 3352

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 8.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

FW812-TL-E

부품 재고: 2832

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

NTLUD3191PZTBG

부품 재고: 2826

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

FDS8962C

부품 재고: 2774

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

NTMC1300R2

부품 재고: 3306

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A, 1.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

FDW9926NZ

부품 재고: 2770

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

FDR8308P

부품 재고: 2748

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

EMH2407-TL-H

부품 재고: 165186

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V,

위시리스트에게

Diodes Incorporated

ZXMD65P03N8TA

부품 재고: 2983

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

위시리스트에게

Diodes Incorporated

ZXMD63P03XTC

부품 재고: 2768

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

위시리스트에게

Diodes Incorporated

ZXMN10A08DN8TC

부품 재고: 2701

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 3.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA (Min),

위시리스트에게

Infineon Technologies

IRF7350PBF

부품 재고: 2677

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A, 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

위시리스트에게

Infineon Technologies

IRF7317PBF

부품 재고: 75561

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA,

위시리스트에게

Infineon Technologies

IRF7338PBF

부품 재고: 2697

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8203(TE85L,F)

부품 재고: 2780

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE(T5L,F

부품 재고: 2844

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 250µA,

위시리스트에게

Rohm Semiconductor

MP6M11TCR

부품 재고: 2920

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

위시리스트에게

Rohm Semiconductor

MP6K14TCR

부품 재고: 2899

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

위시리스트에게

Rohm Semiconductor

SP8M51TB1

부품 재고: 2655

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A,

위시리스트에게

Texas Instruments

CSD75208W1015T

부품 재고: 192795

FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,

위시리스트에게

STMicroelectronics

STS1DN45K3

부품 재고: 2689

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA,

위시리스트에게

EPC

EPC2103

부품 재고: 23026

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA,

위시리스트에게

EPC

EPC2105

부품 재고: 24303

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 38A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA,

위시리스트에게

IXYS

GWM120-0075X1-SMDSAM

부품 재고: 2788

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,

위시리스트에게