트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SIZF906DT-T1-GE3

부품 재고: 98746

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SI4963BDY-T1-GE3

부품 재고: 89691

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

SI5517DU-T1-GE3

부품 재고: 139934

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

SI4804CDY-T1-GE3

부품 재고: 85201

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

SI5515DC-T1-GE3

부품 재고: 153475

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A, 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

SQ1902AEL-T1_GE3

부품 재고: 9906

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 780mA (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 415 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI4204DY-T1-GE3

부품 재고: 80891

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

CSD86311W1723

부품 재고: 155741

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 2A, 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

CSD86356Q5D

부품 재고: 10781

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA,

CMLDM3757 TR

부품 재고: 173409

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA, 430mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

IRFI4019HG-117P

부품 재고: 3354

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.9V @ 50µA,

DMN4034SSD-13

부품 재고: 104438

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

DMPH6050SSDQ-13

부품 재고: 176283

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

DMC4040SSDQ-13

부품 재고: 191341

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA,

DMP3056LSDQ-13

부품 재고: 10772

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,

DMC1229UFDB-7

부품 재고: 185667

FET 유형: N and P-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A, 3.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

DMN2215UDM-7

부품 재고: 186022

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

DMG1016UDW-7

부품 재고: 177152

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.07A, 845mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

DMT3020LFDB-13

부품 재고: 176284

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

DMG8822UTS-13

부품 재고: 155822

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA,

FDMB2307NZ

부품 재고: 191134

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate,

FDPC8016S

부품 재고: 69237

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, 35A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NVMFD5C672NLWFT1G

부품 재고: 6532

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 49A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 30µA,

EMH2604-TL-H

부품 재고: 118126

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4.5V,

FDME1023PZT

부품 재고: 114825

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 142 mOhm @ 2.3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMA1027P

부품 재고: 148465

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA,

FC4B22270L1

부품 재고: 167168

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 310µA,

TPD3215M

부품 재고: 455

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 30A, 8V,

SSM6N61NU,LF

부품 재고: 117701

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 1.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,

NX3008CBKV,115

부품 재고: 142413

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA, 220mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,

GWM100-01X1-SMDSAM

부품 재고: 2800

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA,

GMM3X180-004X2-SMDSAM

부품 재고: 3145

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA,

MCB40P1200LB

부품 재고: 230

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A,

PMDPB760ENX

부품 재고: 2945

QS6M4TR

부품 재고: 185861

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,

SH8M3TB1

부품 재고: 180841

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,