FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA, 140mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 25µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 28A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 140mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.45A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA, 775mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5A, 10V,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 775mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 430mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 15V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 34mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 100mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 1mA (Min),
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 168 mOhm @ 1.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A, 28A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, 7.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A, 60A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
