트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

NTHD4502NT1G

부품 재고: 147583

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C466NLWFT1G

부품 재고: 251

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 52A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 30µA,

FDS4953

부품 재고: 2994

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5489NLT1G

부품 재고: 91710

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NDS8936

부품 재고: 3130

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,

FDMC8030

부품 재고: 182984

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,

SQJ500EP

부품 재고: 2995

FDMB2308PZ

부품 재고: 98641

FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDMA2002NZ_F130

부품 재고: 3353

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

EMH2418R-TL-H

부품 재고: 147303

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA,

GMM3X100-01X1-SMD

부품 재고: 3671

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA,

CSD87351ZQ5D

부품 재고: 82239

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,

CSD87334Q3DT

부품 재고: 56420

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 12A, 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

CSD88537NDT

부품 재고: 78894

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA,

GWS9293

부품 재고: 3370

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,

DMPH6050SPD-13

부품 재고: 156193

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

DMC3025LSDQ-13

부품 재고: 10850

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta), 4.2A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.4A, 10V, 45 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

DMC2400UV-13

부품 재고: 156715

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.03A, 700mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA,

DMN3016LDN-13

부품 재고: 103259

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

DMTH4011SPD-13

부품 재고: 10768

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.1A (Ta), 42A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

DMN3012LFG-13

부품 재고: 283

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA,

DMNH6022SSDQ-13

부품 재고: 158541

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A, 22.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN66D0LDW-7

부품 재고: 193621

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

SI1034X-T1-GE3

부품 재고: 127515

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

SI3981DV-T1-E3

부품 재고: 3003

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,

SQJ910AEP-T1_GE3

부품 재고: 9943

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI7501DN-T1-E3

부품 재고: 3365

FET 유형: N and P-Channel, Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A, 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

SIZ980DT-T1-GE3

부품 재고: 16202

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 60A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 1.6 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SI4909DY-T1-GE3

부품 재고: 158525

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI4925BDY-T1-GE3

부품 재고: 89747

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

SI8902EDB-T2-E1

부품 재고: 86559

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 980µA,

CMLDM7003TG TR

부품 재고: 182584

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRFI4020H-117P

부품 재고: 21018

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.9V @ 100µA,

NX7002AKS/ZLX

부품 재고: 2966

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,

PHKD3NQ10T,518

부품 재고: 123444

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,

SLA5085

부품 재고: 13470

FET 유형: 5 N-Channel, Common Source, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 3A, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,