트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

FDS9933A

부품 재고: 190178

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

FDC6506P

부품 재고: 194858

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게

NVMFD5483NLT1G

부품 재고: 65498

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게

FDC6305N

부품 재고: 129016

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

NTUD3129PT5G

부품 재고: 2940

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게

NVMFD5875NLT1G

부품 재고: 155747

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게

FDMS3668S

부품 재고: 82251

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 18A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,

위시리스트에게

Taiwan Semiconductor Corporation

NVMFD5C470NLWFT1G

부품 재고: 277

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 36A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA,

위시리스트에게

Infineon Technologies

FF11MR12W1M1B11BOMA1

부품 재고: 3093

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 100A, 15V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5.55V @ 40mA,

위시리스트에게

Infineon Technologies

IRF6723M2DTR1P

부품 재고: 3004

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA,

위시리스트에게

TSM6968SDCA RVG

부품 재고: 9997

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게

DMN2016LHAB-7

부품 재고: 190312

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,

위시리스트에게

DMG1016VQ-13

부품 재고: 163191

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA, 640mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게

DMC1030UFDB-13

부품 재고: 115059

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta), 3.9A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게

DMN2029USD-13

부품 재고: 136935

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

ZXMHC6A07T8TA

부품 재고: 83548

FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A, 1.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게

SH8M41TB1

부품 재고: 127833

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, 2.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

위시리스트에게

QH8KA4TCR

부품 재고: 78816

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,

위시리스트에게

TT8J21TR

부품 재고: 169061

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,

위시리스트에게

SH8J66TB1

부품 재고: 75609

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

위시리스트에게

SI3590DV-T1-GE3

부품 재고: 199636

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, 1.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

SI7998DP-T1-GE3

부품 재고: 103462

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A, 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게

SIA915DJ-T4-GE3

부품 재고: 2966

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta), 4.5A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

위시리스트에게

SIZ322DT-T1-GE3

부품 재고: 266

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

위시리스트에게

SI5944DU-T1-GE3

부품 재고: 2992

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게