트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

DMC1030UFDBQ-13

부품 재고: 156497

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

DMN62D0UT-13

부품 재고: 146726

DMP57D5UV-7

부품 재고: 2791

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

RJM0603JSC-00#12

부품 재고: 2981

FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

NTLUD3A260PZTBG

부품 재고: 162644

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

FDPC3D5N025X9D

부품 재고: 97245

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.01 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDS8949

부품 재고: 64827

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8655R-TL-H

부품 재고: 174892

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

NDS8958

부품 재고: 2659

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,

NTHD3100CT3

부품 재고: 2692

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDY4001CZ

부품 재고: 2688

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, 150mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTMD6P02R2SG

부품 재고: 2763

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

MMDF3N04HDR2

부품 재고: 2667

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS3660S-F121

부품 재고: 2953

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,

NTMD2P01R2G

부품 재고: 2669

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 16V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

VEC2616-TL-H-Z

부품 재고: 2971

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V,

GWM180-004X2-SL

부품 재고: 3066

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA,

SI4830CDY-T1-E3

부품 재고: 135865

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA,

SI5935DC-T1-E3

부품 재고: 3338

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

SI6969BDQ-T1-GE3

부품 재고: 2845

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA,

SI3585DV-T1-E3

부품 재고: 2733

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

SI4916DY-T1-E3

부품 재고: 159074

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, 10.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

SI7872DP-T1-E3

부품 재고: 71511

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

SI6966DQ-T1-E3

부품 재고: 2873

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

SI4992EY-T1-E3

부품 재고: 2722

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

SI4967DY-T1-GE3

부품 재고: 3379

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

SI1972DH-T1-E3

부품 재고: 2739

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,

SIA920DJ-T1-GE3

부품 재고: 118547

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA,

SI3588DV-T1-E3

부품 재고: 2762

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, 570mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

SI4388DY-T1-GE3

부품 재고: 2870

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.7A, 11.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

STS3DNE60L

부품 재고: 2665

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

STS5DNF20V

부품 재고: 2698

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA,

IRF7901D1TR

부품 재고: 2718

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7324

부품 재고: 2912

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7752

부품 재고: 2653

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

SSM6L36FE,LM

부품 재고: 107404

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, 330mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,