트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 | 디스크리트 반도체 제품 | 100

STC5NF20V

부품 재고: 3322

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI6924AEDQ-T1-E3

부품 재고: 2801

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 28V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI7901EDN-T1-GE3

부품 재고: 2866

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 800µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI7234DP-T1-GE3

부품 재고: 47223

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI7980DP-T1-GE3

부품 재고: 96693

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI1026X-T1-E3

부품 재고: 2694

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 305mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI1551DL-T1-GE3

부품 재고: 2873

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 290mA, 410mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 290mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI7872DP-T1-GE3

부품 재고: 71532

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI7980DP-T1-E3

부품 재고: 2862

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI4539ADY-T1-E3

부품 재고: 2626

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A, 3.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI4923DY-T1-E3

부품 재고: 2886

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI4910DY-T1-E3

부품 재고: 2756

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI3993DV-T1-E3

부품 재고: 198401

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 133 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게

Rohm Semiconductor

SH8M70TB1

부품 재고: 2793

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.63 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,

위시리스트에게

Rohm Semiconductor

SP8M4FU6TB

부품 재고: 74678

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

위시리스트에게

Rohm Semiconductor

SP8M8FU6TB

부품 재고: 119511

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

ECH8619-TL-E

부품 재고: 2845

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 1.5A, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

FDZ2554P

부품 재고: 2769

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

FDW2501NZ

부품 재고: 2739

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

FDJ1032C

부품 재고: 2679

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A, 2.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

NTQD6968R2

부품 재고: 2684

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

FDW2512NZ

부품 재고: 2739

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

MCH6602-TL-E

부품 재고: 191190

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

FDS6898A_NF40

부품 재고: 2814

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

NDS8852H

부품 재고: 2661

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

FW811-TL-E

부품 재고: 3294

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA,

위시리스트에게

NXP USA Inc.

PMDPB28UN,115

부품 재고: 3299

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게

NXP USA Inc.

PMDPB95XNE,115

부품 재고: 2864

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

Nexperia USA Inc.

PHN203,518

부품 재고: 155067

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,

위시리스트에게

Panasonic Electronic Components

XP0187800L

부품 재고: 2685

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA,

위시리스트에게

IXYS

IXTL2X240N055T

부품 재고: 2780

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

위시리스트에게

IXYS

GWM220-004P3-SMD

부품 재고: 2843

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,

위시리스트에게

EPC

EPC2100ENG

부품 재고: 2900

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 40A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

위시리스트에게

Infineon Technologies

IPG15N06S3L-45

부품 재고: 2793

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 10µA,

위시리스트에게

Infineon Technologies

IRFH4257DTRPBF

부품 재고: 2942

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA,

위시리스트에게

Infineon Technologies

IRF7304QTRPBF

부품 재고: 2807

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA,

위시리스트에게