트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

UPA2381T1P-E1-A#YW

부품 재고: 3033

FDMC7200S

부품 재고: 199650

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 13A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C470NT1G

부품 재고: 6526

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A (Ta), 36A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA,

NTTFS5C658NLTAG

부품 재고: 328

FW389-TL-2WX

부품 재고: 3022

FW217A-TL-2WX

부품 재고: 2947

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부품 재고: 2939

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, 2.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMC8200

부품 재고: 148681

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 12A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS7620S

부품 재고: 128539

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A, 12.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS9600S

부품 재고: 66311

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 16A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FW217A-TL-2W

부품 재고: 198899

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 6A, 10V,

NTTFS5C478NLTAG

부품 재고: 6464

EFC4626R-TR

부품 재고: 135891

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

SP8J5FU6TB

부품 재고: 68274

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SH8K32TB1

부품 재고: 109582

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

UM6K31NFHATCN

부품 재고: 9908

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA,

SH8M5TB1

부품 재고: 102075

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SI4670DY-T1-E3

부품 재고: 139946

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SI5922DU-T1-GE3

부품 재고: 127635

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SIZ348DT-T1-GE3

부품 재고: 277

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 30A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.12 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

SIA931DJ-T1-GE3

부품 재고: 160155

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SI5904DC-T1-E3

부품 재고: 2972

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

GMM3X180-004X2-SMD

부품 재고: 3178

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA,

FMP36-015P

부품 재고: 4846

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A, 22A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 31A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA,

GMM3X100-01X1-SMDSAM

부품 재고: 3134

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA,

DMC1030UFDB-7

부품 재고: 177751

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta), 3.9A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

DMN3015LSD-13

부품 재고: 166732

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

DMP2160UFDBQ-7

부품 재고: 174544

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA,

DMN63D1LV-13

부품 재고: 219

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 550mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SSM6N48FU,RF

부품 재고: 3013

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA,

EPC2111ENGRT

부품 재고: 43248

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5mA,

FC8V22040L

부품 재고: 119612

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,

PMCXB900UELZ

부품 재고: 106017

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,

CTLDM304P-M832DS TR

부품 재고: 191379

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA,

STS8DN6LF6AG

부품 재고: 132133

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

IRFI4212H-117P

부품 재고: 32918

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72.5 mOhm @ 6.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA,