트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

CSD87501L

CSD87501L

부품 재고: 154135

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA,

위시리스트에게
CSD75207W15

CSD75207W15

부품 재고: 132615

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 162 mOhm @ 1A, 1.8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,

위시리스트에게
FDG6303N-F169

FDG6303N-F169

부품 재고: 2964

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게
NTZD3155CT1H

NTZD3155CT1H

부품 재고: 142970

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA, 430mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
ECH8661-TL-HX

ECH8661-TL-HX

부품 재고: 3018

위시리스트에게
FDMD8240L

FDMD8240L

부품 재고: 56888

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
FDPC4044

FDPC4044

부품 재고: 42785

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 27A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
FDC6432SH

FDC6432SH

부품 재고: 2951

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A, 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA,

위시리스트에게
NDC7001C

NDC7001C

부품 재고: 161454

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 510mA, 340mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
DMN3032LFDB-13

DMN3032LFDB-13

부품 재고: 198100

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

위시리스트에게
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

부품 재고: 111432

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA,

위시리스트에게
DMC1229UFDB-13

DMC1229UFDB-13

부품 재고: 127332

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A, 3.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
DMC2041UFDB-7

DMC2041UFDB-7

부품 재고: 172534

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

위시리스트에게
DMC1028UFDB-7

DMC1028UFDB-7

부품 재고: 102586

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
DMTH6010LPD-13

DMTH6010LPD-13

부품 재고: 135904

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.1A (Ta), 47.6A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
DMC4050SSDQ-13

DMC4050SSDQ-13

부품 재고: 146703

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA,

위시리스트에게
DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13

부품 재고: 167988

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,

위시리스트에게
ZXMHC3A01T8TA

ZXMHC3A01T8TA

부품 재고: 83555

FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A, 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
ZXMN2A04DN8TC

ZXMN2A04DN8TC

부품 재고: 3343

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

위시리스트에게
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA

부품 재고: 139574

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 3.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA (Min),

위시리스트에게
SIZ328DT-T1-GE3

SIZ328DT-T1-GE3

부품 재고: 221

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
SIZF916DT-T1-GE3

SIZF916DT-T1-GE3

부품 재고: 281

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 40A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA,

위시리스트에게
SI7905DN-T1-E3

SI7905DN-T1-E3

부품 재고: 73624

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
SI1900DL-T1-GE3

SI1900DL-T1-GE3

부품 재고: 337

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA (Ta), 590mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

부품 재고: 104289

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.71 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

위시리스트에게
SIZ988DT-T1-GE3

SIZ988DT-T1-GE3

부품 재고: 16265

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc), 60A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA,

위시리스트에게
SI6913DQ-T1-E3

SI6913DQ-T1-E3

부품 재고: 71472

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 400µA,

위시리스트에게
QS8M51TR

QS8M51TR

부품 재고: 132178

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 325 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

위시리스트에게
HP8K22TB

HP8K22TB

부품 재고: 139519

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A, 57A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

위시리스트에게
IPG20N06S2L65AATMA1

IPG20N06S2L65AATMA1

부품 재고: 158126

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 14µA,

위시리스트에게
CMLDM7002AJ TR

CMLDM7002AJ TR

부품 재고: 188305

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
GWM120-0075X1-SLSAM

GWM120-0075X1-SLSAM

부품 재고: 3355

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,

위시리스트에게
VMM90-09P

VMM90-09P

부품 재고: 480

위시리스트에게
VKM60-01P1

VKM60-01P1

부품 재고: 1092

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA,

위시리스트에게
TSM2537CQ RFG

TSM2537CQ RFG

부품 재고: 222

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A (Tc), 9A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
SSM6L61NU,LF

SSM6L61NU,LF

부품 재고: 154751

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A,

위시리스트에게