트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7

부품 재고: 142454

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

위시리스트에게
DMP2065UFDB-13

DMP2065UFDB-13

부품 재고: 149887

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
DMC25D1UVT-7

DMC25D1UVT-7

부품 재고: 109372

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, 3.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게
DMC6070LND-13

DMC6070LND-13

부품 재고: 121554

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
DMNH4015SSDQ-13

DMNH4015SSDQ-13

부품 재고: 176142

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.6A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
ZXMN2AM832TA

ZXMN2AM832TA

부품 재고: 106042

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

위시리스트에게
ZXMC3AM832TA

ZXMC3AM832TA

부품 재고: 3091

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 2.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

위시리스트에게
ZXMC6A09DN8TA

ZXMC6A09DN8TA

부품 재고: 63478

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A, 3.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

위시리스트에게
SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

부품 재고: 93111

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
SIZ340DT-T1-GE3

SIZ340DT-T1-GE3

부품 재고: 178844

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

위시리스트에게
SI5513DC-T1-GE3

SI5513DC-T1-GE3

부품 재고: 3020

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게
SI4214DY-T1-GE3

SI4214DY-T1-GE3

부품 재고: 138819

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23.5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
SI4974DY-T1-E3

SI4974DY-T1-E3

부품 재고: 2958

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
SIZ704DT-T1-GE3

SIZ704DT-T1-GE3

부품 재고: 146407

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 16A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
SQJ942EP-T1_GE3

SQJ942EP-T1_GE3

부품 재고: 9979

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc), 45A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.8A, 10V, 11 mOhm @ 10.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA,

위시리스트에게
SI7216DN-T1-GE3

SI7216DN-T1-GE3

부품 재고: 113546

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
CSD87503Q3E

CSD87503Q3E

부품 재고: 10848

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,

위시리스트에게
CSD87501LT

CSD87501LT

부품 재고: 108175

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA,

위시리스트에게
FDG6303N_G

FDG6303N_G

부품 재고: 2999

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게
FQS4903TF

FQS4903TF

부품 재고: 95372

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 370mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2 Ohm @ 185mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

위시리스트에게
FDMS7608S

FDMS7608S

부품 재고: 172353

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
EFC6617R-TF

EFC6617R-TF

부품 재고: 3361

위시리스트에게
FDC6318P

FDC6318P

부품 재고: 132159

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게
VEC2415-TL-W

VEC2415-TL-W

부품 재고: 107431

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA,

위시리스트에게
FDMS3602S

FDMS3602S

부품 재고: 50082

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, 26A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
NTQD6968N

NTQD6968N

부품 재고: 2957

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

위시리스트에게
FDMD8580

FDMD8580

부품 재고: 44299

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 82A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA,

위시리스트에게
TT8J1TR

TT8J1TR

부품 재고: 2958

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,

위시리스트에게
SH8K1TB1

SH8K1TB1

부품 재고: 189574

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

위시리스트에게
CMLDM7003 TR

CMLDM7003 TR

부품 재고: 147996

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
CMLDM5757 TR

CMLDM5757 TR

부품 재고: 161889

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 430mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
CAS120M12BM2

CAS120M12BM2

부품 재고: 257

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 193A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 120A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 6mA (Typ),

위시리스트에게
FMP76-010T

FMP76-010T

부품 재고: 5246

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62A, 54A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA,

위시리스트에게
IRF3546MTRPBF

IRF3546MTRPBF

부품 재고: 18707

FET 유형: 4 N-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc), 20A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 27A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA,

위시리스트에게
TC8020K6-G

TC8020K6-G

부품 재고: 8617

FET 유형: 6 N and 6 P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA,

위시리스트에게
TSM9933DCS RLG

TSM9933DCS RLG

부품 재고: 10803

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

위시리스트에게