트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

NVMFD5C478NWFT1G

부품 재고: 6501

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta), 27A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 20µA,

FDMA6023PZT

부품 재고: 123244

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDMS3626S

부품 재고: 116036

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A, 25A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 17.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

FDG6321C

부품 재고: 176555

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, 410mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTMFD4C20NT3G

부품 재고: 182368

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A, 13.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,

FDS89141

부품 재고: 103463

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

NVMFD5852NLT1G

부품 재고: 78313

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

FDMS3615S

부품 재고: 105235

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 18A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDWS9420-F085

부품 재고: 172

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

EFC2J013NUZTDG

부품 재고: 16524

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA,

NDC7003P

부품 재고: 145430

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 340mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 340mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA,

CSD88539NDT

부품 재고: 108250

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA,

CSD85301Q2T

부품 재고: 172784

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

SI6562DQ-T1-GE3

부품 재고: 3013

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

SI1563EDH-T1-GE3

부품 재고: 3023

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.13A, 880mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA,

SI4946BEY-T1-GE3

부품 재고: 150031

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

SI1902DL-T1-E3

부품 재고: 198847

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

RJK4034DJE-00#Z0

부품 재고: 3031

DMN2028UFU-7

부품 재고: 120117

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20.2 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

DMC4050SSD-13

부품 재고: 151827

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA,

DMP3028LSD-13

부품 재고: 174334

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN2300UFL4-7

부품 재고: 182197

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.11A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 300mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,

DMN3190LDW-13

부품 재고: 160165

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,

DMC3021LK4-13

부품 재고: 125872

FET 유형: N and P-Channel, Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A, 6.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,

ZXMD63N02XTA

부품 재고: 98634

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN2041UFDB-13

부품 재고: 133918

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

DMN3012LFG-7

부품 재고: 260

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA,

SSM6N37CTD(TPL3)

부품 재고: 2957

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,

SMA5131

부품 재고: 14190

FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A,

SMA5125

부품 재고: 10820

FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 5A, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

GWM160-0055X1-SL

부품 재고: 2919

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA,

GWM120-0075P3-SL

부품 재고: 2709

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 118A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,

IRF7306TRPBF

부품 재고: 134048

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7309PBF

부품 재고: 123498

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

CAS300M12BM2

부품 재고: 138

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 423A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 300A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 15mA (Typ),

CCS050M12CM2

부품 재고: 184

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 87A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 2.5mA,