트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

NTMFD4C85NT1G

부품 재고: 29711

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.4A, 29.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,

NTMFD5C470NLT1G

부품 재고: 6471

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 36A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA,

FDMQ8203

부품 재고: 55066

FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, 2.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

NVMFD5C650NLWFT1G

부품 재고: 9967

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 111A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 98µA,

NTGD3133PT1G

부품 재고: 3323

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

FDS8958B_G

부품 재고: 2939

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A, 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.4A, 10V, 51 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC8822R-TF

부품 재고: 3006

MCH6605-TL-EX

부품 재고: 2947

FDMS3620S

부품 재고: 94876

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A, 38A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 17.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

FDMS8095AC

부품 재고: 54792

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A, 1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

NVMFD5C680NLWFT1G

부품 재고: 6505

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 26A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 13µA,

EFC3C001NUZTCG

부품 재고: 153532

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA,

NTMFD4C86NT1G

부품 재고: 26834

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.3A, 18.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

FDS8949-F085

부품 재고: 10816

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDG6304P

부품 재고: 174228

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 410mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS8934

부품 재고: 3124

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

FMP76-01T

부품 재고: 227

FET 유형: N and P-Channel, Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc), 62A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 38A, 10V, 11 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA,

FMM50-025TF

부품 재고: 5089

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA,

VMK90-02T2

부품 재고: 1263

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 83A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 3mA,

SI1539DDL-T1-GE3

부품 재고: 3368

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA (Tc), 460mA (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 388 mOhm @ 600mA, 10V, 1.07 Ohm @ 400mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA,

SI4565ADY-T1-GE3

부품 재고: 3004

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 5.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SI3552DV-T1-E3

부품 재고: 116715

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SQ3985EV-T1_GE3

부품 재고: 9989

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

RJM0603JSC-00#13

부품 재고: 3358

FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

DMNH6042SSDQ-13

부품 재고: 171893

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.7A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

ZXMC3A17DN8TA

부품 재고: 125228

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A, 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

DMC3028LSDXQ-13

부품 재고: 198368

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 5.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN2016LFG-7

부품 재고: 115776

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,

DMG6898LSDQ-13

부품 재고: 192348

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

PMDPB95XNE2X

부품 재고: 126919

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA,

PMGD290UCEAX

부품 재고: 122614

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 725mA, 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA,

PHC21025,118

부품 재고: 68440

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA,

IRF8910TRPBF

부품 재고: 184858

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 250µA,

KGF16N05D-400

부품 재고: 3372

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 5.5V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 0.9V @ 250µA,

TSM6502CR RLG

부품 재고: 10781

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc), 18A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SSM6P41FE(TE85L,F)

부품 재고: 13283

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 720mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,