FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A (Ta), 36A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 145A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 90µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 460mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A, 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 42A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 25µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7A , 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 25A, 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA,
FET 유형: 4 N-Channel, FET 기능: Standard, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.8A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 550mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 410mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 995 mOhm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA,
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc),
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 70V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 165A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 82.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,
