트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

EFC2J017NUZTDG

부품 재고: 166927

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA,

FDMS3669S

부품 재고: 164375

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 18A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,

EFC4627R-TR

부품 재고: 182266

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDG6332C

부품 재고: 126485

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA, 600mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDC6303N

부품 재고: 175306

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FW216A-TL-2WX

부품 재고: 3039

ECH8691-TL-W

부품 재고: 147834

NVMFD5489NLWFT3G

부품 재고: 97513

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDS6961A

부품 재고: 151064

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C478NLWFT1G

부품 재고: 6481

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Ta), 29A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA,

FDMD8280

부품 재고: 48032

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

EFC4621R-TR

부품 재고: 191534

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDG6304P-X

부품 재고: 2943

CSD87334Q3D

부품 재고: 121075

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 12A, 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

CSD87503Q3ET

부품 재고: 4047

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,

CSD88539ND

부품 재고: 153712

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA,

DMNH6021SPDQ-13

부품 재고: 153434

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A, 32A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN61D8LVT-13

부품 재고: 146214

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,

ZXMHC10A07N8TC

부품 재고: 135940

FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA, 680mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

ZXMC3A16DN8TC

부품 재고: 118900

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A, 4.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

DMP2075UFDB-7

부품 재고: 218

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

DMP1046UFDB-7

부품 재고: 127126

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

SQJ844AEP-T1_GE3

부품 재고: 165127

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.6 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI4511DY-T1-E3

부품 재고: 3311

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A, 4.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA,

SI5511DC-T1-GE3

부품 재고: 3024

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

SSM6N357R,LF

부품 재고: 16211

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,

SSM6P35FE(TE85L,F)

부품 재고: 121978

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,

GWM120-0075P3

부품 재고: 2981

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 118A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,

FMP26-02P

부품 재고: 4082

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A, 17A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA,

GWM180-004X2-SLSAM

부품 재고: 3050

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA,

SLA5060

부품 재고: 10412

FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 3A, 4V,

SLA5073

부품 재고: 12628

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

EPC2104ENGRT

부품 재고: 13673

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,

EPC2101ENGRT

부품 재고: 13969

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 38A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA,

IRF8915TRPBF

부품 재고: 198689

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NX138BKSX

부품 재고: 123100

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 210mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,