트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

FMM150-0075X2F

FMM150-0075X2F

부품 재고: 4607

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

위시리스트에게
VMM85-02F

VMM85-02F

부품 재고: 1197

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 84A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA,

위시리스트에게
GWM220-004P3-SL SAM

GWM220-004P3-SL SAM

부품 재고: 2944

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,

위시리스트에게
VWM270-0075X2

VWM270-0075X2

부품 재고: 697

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 270A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 500µA,

위시리스트에게
FDC6327C

FDC6327C

부품 재고: 146072

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A, 1.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게
FDMC8298

FDMC8298

부품 재고: 2974

위시리스트에게
NTMFD5C650NLT1G

NTMFD5C650NLT1G

부품 재고: 6527

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 111A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 98µA,

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NVMFD5C446NWFT1G

NVMFD5C446NWFT1G

부품 재고: 6461

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 127A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA,

위시리스트에게
FDMJ1032C

FDMJ1032C

부품 재고: 2986

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A, 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게
FDG6308P

FDG6308P

부품 재고: 158700

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게
FDG6320C

FDG6320C

부품 재고: 131902

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, 140mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게
EFC4622R-R-W-E-TR

EFC4622R-R-W-E-TR

부품 재고: 2960

위시리스트에게
FDS4559

FDS4559

부품 재고: 172345

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
NTJD2152PT4

NTJD2152PT4

부품 재고: 2980

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 775mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
PMGD175XNEAX

PMGD175XNEAX

부품 재고: 100101

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 252 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA,

위시리스트에게
ZXMC3F31DN8TA

ZXMC3F31DN8TA

부품 재고: 184943

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A, 4.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7

부품 재고: 179644

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

위시리스트에게
DMC3400SDW-7

DMC3400SDW-7

부품 재고: 148048

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA, 450mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA,

위시리스트에게
DMN63D0LT-7

DMN63D0LT-7

부품 재고: 180893

위시리스트에게
DMN5L06VKQ-7

DMN5L06VKQ-7

부품 재고: 192415

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

위시리스트에게
DMP2065UFDB-7

DMP2065UFDB-7

부품 재고: 144177

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
ZXMHC3A01N8TC

ZXMHC3A01N8TC

부품 재고: 158505

FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.17A, 1.64A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
SI1902DL-T1-GE3

SI1902DL-T1-GE3

부품 재고: 162518

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게
SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3

부품 재고: 107643

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
SQ4949EY-T1_GE3

SQ4949EY-T1_GE3

부품 재고: 10794

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
SIZ790DT-T1-GE3

SIZ790DT-T1-GE3

부품 재고: 117428

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 35A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

위시리스트에게
SI1028X-T1-GE3

SI1028X-T1-GE3

부품 재고: 148144

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
SI3586DV-T1-E3

SI3586DV-T1-E3

부품 재고: 2975

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 2.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,

위시리스트에게
SI4943BDY-T1-E3

SI4943BDY-T1-E3

부품 재고: 73640

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

부품 재고: 68509

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

위시리스트에게
TSM6866SDCA RVG

TSM6866SDCA RVG

부품 재고: 9954

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA,

위시리스트에게
CSD87331Q3D

CSD87331Q3D

부품 재고: 140901

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V, 1.2V @ 250µA,

위시리스트에게
MCQ4503-TP

MCQ4503-TP

부품 재고: 124864

FET 유형: N and P-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 8.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
SMA5132

SMA5132

부품 재고: 10943

FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A,

위시리스트에게
SSM6N35AFE,LF

SSM6N35AFE,LF

부품 재고: 13256

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 1.2V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA,

위시리스트에게