FET 유형: 4 N-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.34A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.05A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 5 N-Channel (Solar Inverter), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 27A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 5A, 4.5V,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc), 13A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V, 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39.1 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA, 600mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.1 mOhm @ 14.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A, 32A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 10A, 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc), 30A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28.5 mOhm @ 10A, 10V, 11.5 mOhm @ 14.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 35A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A, 1.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 38A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 5.5V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 0.9V @ 250µA,