트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

CWDM305ND TR13

CWDM305ND TR13

부품 재고: 155758

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
CMLDM7003G TR

CMLDM7003G TR

부품 재고: 145265

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
CMLDM7002AG TR

CMLDM7002AG TR

부품 재고: 187169

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G

부품 재고: 192373

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

위시리스트에게
FDMC8097AC

FDMC8097AC

부품 재고: 84069

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta), 900mA (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

위시리스트에게
NTHD4508NT1G

NTHD4508NT1G

부품 재고: 175416

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

위시리스트에게
FDC6401N

FDC6401N

부품 재고: 146944

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게
FW389-TL-2W

FW389-TL-2W

부품 재고: 183608

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 2A, 10V,

위시리스트에게
FDS6986AS_SN00192

FDS6986AS_SN00192

부품 재고: 3010

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, 7.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.5A, 10V, 20 mOhm @ 7.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA,

위시리스트에게
FDC6420C

FDC6420C

부품 재고: 172122

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게
DMN601VK-7

DMN601VK-7

부품 재고: 199583

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 305mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
DMC2041UFDB-13

DMC2041UFDB-13

부품 재고: 176346

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

위시리스트에게
DMN5L06DMKQ-7

DMN5L06DMKQ-7

부품 재고: 127512

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 305mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
DMTH4007SPDQ-13

DMTH4007SPDQ-13

부품 재고: 125165

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

위시리스트에게
DMC25D0UVT-13

DMC25D0UVT-13

부품 재고: 177257

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA, 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게
TSM680P06DPQ56 RLG

TSM680P06DPQ56 RLG

부품 재고: 16540

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
TSM4936DCS RLG

TSM4936DCS RLG

부품 재고: 10837

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
FMM65-015P

FMM65-015P

부품 재고: 2720

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,

위시리스트에게
LKK47-06C5

LKK47-06C5

부품 재고: 2067

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA,

위시리스트에게
GWM120-0075P3-SMD SAM

GWM120-0075P3-SMD SAM

부품 재고: 2286

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 118A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,

위시리스트에게
MCQ4559-TP

MCQ4559-TP

부품 재고: 163911

FET 유형: N and P-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
SM6K2T110

SM6K2T110

부품 재고: 120997

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

위시리스트에게
TPS1120D

TPS1120D

부품 재고: 27273

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.17A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게
CSD87384M

CSD87384M

부품 재고: 105031

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 25A, 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA,

위시리스트에게
CSD83325LT

CSD83325LT

부품 재고: 151301

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA,

위시리스트에게
CSD87355Q5D

CSD87355Q5D

부품 재고: 70450

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA,

위시리스트에게
SQ3987EV-T1_GE3

SQ3987EV-T1_GE3

부품 재고: 16233

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 133 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
SI5915DC-T1-E3

SI5915DC-T1-E3

부품 재고: 2988

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

위시리스트에게
SI3585DV-T1-GE3

SI3585DV-T1-GE3

부품 재고: 3014

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

위시리스트에게
SI7956DP-T1-E3

SI7956DP-T1-E3

부품 재고: 43929

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

위시리스트에게
SI3552DV-T1-GE3

SI3552DV-T1-GE3

부품 재고: 189573

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

위시리스트에게
SQJ956EP-T1_GE3

SQJ956EP-T1_GE3

부품 재고: 9990

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26.7 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
STL15DN4F5

STL15DN4F5

부품 재고: 56764

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

위시리스트에게
SSM6N42FE(TE85L,F)

SSM6N42FE(TE85L,F)

부품 재고: 2976

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,

위시리스트에게
PMDXB950UPELZ

PMDXB950UPELZ

부품 재고: 106171

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,

위시리스트에게