트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SI4539ADY-T1-GE3

부품 재고: 3314

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A, 3.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SI4816BDY-T1-E3

부품 재고: 93648

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A, 8.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

SI1023X-T1-E3

부품 재고: 2929

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 370mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

EPC2100

부품 재고: 18949

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 40A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

FDG6306P

부품 재고: 182663

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTMFD5C466NLT1G

부품 재고: 6537

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 52A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 30µA,

NDS9948

부품 재고: 197045

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDC6301N

부품 재고: 190563

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ECH8654-TL-HX

부품 재고: 2963

FDS8928A

부품 재고: 123375

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

NVMFD5C470NLT1G

부품 재고: 9923

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 36A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA,

FDMA3028N

부품 재고: 163003

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS9953A

부품 재고: 193867

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMD82100L

부품 재고: 65782

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

SLA5086

부품 재고: 10743

FET 유형: 5 P-Channel, Common Source, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

CSD87313DMST

부품 재고: 49889

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

CSD85302LT

부품 재고: 177129

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard,

CSD88599Q5DC

부품 재고: 22783

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

CSD86356Q5DT

부품 재고: 2723

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA,

DMN1150UFL3-7

부품 재고: 127702

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

DMC1029UFDB-13

부품 재고: 120593

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A, 3.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

DMN32D4SDW-13

부품 재고: 172309

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA,

DMN4026SSD-13

부품 재고: 191283

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

DMT6018LDR-13

부품 재고: 215

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.8A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

DMTH4007SPD-13

부품 재고: 135932

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

DMP2101UCB9-7

부품 재고: 3006

DMP2075UFDB-13

부품 재고: 184

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

DMPH6050SPDQ-13

부품 재고: 140692

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

SSM6N68NU,LF

부품 재고: 16268

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,

SSM6N35AFU,LF

부품 재고: 9923

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA,

STL20DN10F7

부품 재고: 63556

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA,

DF11MR12W1M1B11BOMA1

부품 재고: 229

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 50A, 15V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 20mA,

FMM60-02TF

부품 재고: 5122

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA,

GWS9294

부품 재고: 2995

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,

PMDT670UPE,115

부품 재고: 170493

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 550mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA,

TSM6963SDCA RVG

부품 재고: 243

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,