| 유형 | 기술 |
| 부품 상태 | Active |
|---|---|
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 113A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 80A, 20V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 4mA (Typ) |
| 게이트 요금 (Qg) (최대) @ Vgs | 197nC @ 20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3800pF @ 1000V |
| 전력-최대 | 500W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP3 |
| 공급 업체 장치 패키지 | SP3 |
| RoHS 현황 | RoHS 준수 |
|---|---|
| 습기 감도 수준 (MSL) | 해당 사항 없음 |
| 라이프 사이클 상태 | 쓸모없는 / 삶의 끝 |
| 재고 범주 | 사용 가능 재고 |
