트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, 회수: 175MHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 32A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 1.03GHz ~ 1.09GHz, 이득: 21.4dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 80A,
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, 회수: 500MHz, 이득: 11.2dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 26A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 230MHz, 이득: 26.5dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.4GHz, 이득: 17.7dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.99GHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 860MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.3GHz, 이득: 14.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.034GHz, 이득: 19.6dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 820MHz, 이득: 20.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.03GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.09GHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.8MHz ~ 470MHz, 이득: 24dB, 현재 등급: 100mA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 2.5GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 960MHz, 이득: 19.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 1.93GHz, 이득: 17.8dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 7A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 1.5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 17.3dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 7A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 123MHz, 전압-테스트: 100V, 현재 등급: 20A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 5.5GHz ~ 5.8GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 3A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 15.1dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 4.4GHz ~ 5.9GHz, 이득: 13.3dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 4GHz, 이득: 12.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 28A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.805GHz ~ 1.88GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.2GHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: MESFET, 회수: 500MHz ~ 26GHz, 이득: 8dB, 전압-테스트: 3V, 현재 등급: 98mA, 노이즈 피겨: 12dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2.4GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 3V, 현재 등급: 55mA, 노이즈 피겨: 0.4dB,