트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 4GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 28A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 470MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 6GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 3.5A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 6GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 6GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 40V, 현재 등급: 950mA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 746MHz ~ 821MHz, 이득: 20.5dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 869MHz ~ 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 3GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 390MHz ~ 450MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 7A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 12A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 17.3dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 7A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 30MHz, 이득: 24dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 40A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.8MHz ~ 500MHz, 이득: 22.5dB,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.03GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 19.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.14GHz, 이득: 18.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.3GHz, 이득: 22.7dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 2.45GHz,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.45GHz, 이득: 15.2dB, 전압-테스트: 32V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 1.93GHz, 이득: 17.8dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 920MHz, 이득: 23.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 512MHz, 이득: 26dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 3.3GHz ~ 3.8GHz, 이득: 10.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 3GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 800mA,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 20GHz, 이득: 13.8dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 0.8dB,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 65MHz, 이득: 23dB, 전압-테스트: 100V, 현재 등급: 8A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 520MHz, 이득: 11.7dB, 전압-테스트: 9.6V, 현재 등급: 5A,
