트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

UPA1981TE-T1-A

부품 재고: 3313

DMN4031SSDQ-13

부품 재고: 188739

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN3055LFDB-13

부품 재고: 174963

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

DMHC3025LSDQ-13

부품 재고: 190261

FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

DMP1055UFDB-7

부품 재고: 154659

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

DMC3400SDW-13

부품 재고: 156092

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA, 450mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA,

DMT6018LDR-7

부품 재고: 150011

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.8A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NVLJD4007NZTBG

부품 재고: 108671

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 245mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 125mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA,

FDG6304P-F169

부품 재고: 2990

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 410mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ECH8661-TL-H

부품 재고: 105690

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 3.5A, 10V,

NTZD3155CT2G

부품 재고: 199865

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA, 430mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMA1025P

부품 재고: 151612

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDMD85100

부품 재고: 46969

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.9 mOhm @ 10.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

FDMD8530

부품 재고: 84078

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.25 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NTD5C688NLT4G

부품 재고: 10808

FET 유형: N-Channel, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 17A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,

NTMD4840NR2G

부품 재고: 184655

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDG8842CZ

부품 재고: 124470

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA, 410mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 750mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG8850NZ

부품 재고: 105054

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 750mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5877NLWFT1G

부품 재고: 160834

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMA1027PT

부품 재고: 2928

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA,

ECH8663R-TL-H

부품 재고: 143975

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 4A, 4.5V,

CSD87588NT

부품 재고: 67251

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA,

CSD87381PT

부품 재고: 109565

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 8A, 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA,

CSD87355Q5DT

부품 재고: 39849

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA,

SI4804CDY-T1-E3

부품 재고: 129067

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

SI4922BDY-T1-GE3

부품 재고: 93125

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA,

SQJQ900E-T1_GE3

부품 재고: 69083

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI6963BDQ-T1-E3

부품 재고: 3001

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

STL40DN3LLH5

부품 재고: 125168

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

STS4DPF20L

부품 재고: 3125

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SLA5212

부품 재고: 13376

FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A,

IRL6372TRPBF

부품 재고: 136919

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA,

GMM3X160-0055X2-SMD

부품 재고: 3118

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,

FMM22-05PF

부품 재고: 4623

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA,

SP8J2FU6TB

부품 재고: 120135

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

CMLDM8002AG TR

부품 재고: 161314

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,