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0rfqs / 주문
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트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

DMN4026SSDQ-13
Diodes Incorporated

DMN4026SSDQ-13

부품 재고: 155222

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
DMS3017SSD-13
Diodes Incorporated

DMS3017SSD-13

부품 재고: 185603

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
DMN3033LSD-13
Diodes Incorporated

DMN3033LSD-13

부품 재고: 155650

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,

위시리스트에게
DMC6040SSDQ-13
Diodes Incorporated

DMC6040SSDQ-13

부품 재고: 175181

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
DMP2035UTS-13
Diodes Incorporated

DMP2035UTS-13

부품 재고: 121298

FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.04A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
DMP3048LSD-13
Diodes Incorporated

DMP3048LSD-13

부품 재고: 155

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA,

위시리스트에게
DMG4932LSD-13
Diodes Incorporated

DMG4932LSD-13

부품 재고: 198063

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

위시리스트에게
DMP6050SSD-13
Diodes Incorporated

DMP6050SSD-13

부품 재고: 126823

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
DMN6022SSD-13
Diodes Incorporated

DMN6022SSD-13

부품 재고: 175957

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta), 14A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
DMC4029SK4-13
Diodes Incorporated

DMC4029SK4-13

부품 재고: 187840

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
DMG6301UDW-13
Diodes Incorporated

DMG6301UDW-13

부품 재고: 187231

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게
ZXMC4A16DN8TA
Diodes Incorporated

ZXMC4A16DN8TA

부품 재고: 141777

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Ta), 4.7A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V, 60 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250mA (Min),

위시리스트에게
ZXMP6A18DN8TA
Diodes Incorporated

ZXMP6A18DN8TA

부품 재고: 69255

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

위시리스트에게
DMHC4035LSDQ-13
Diodes Incorporated

DMHC4035LSDQ-13

부품 재고: 148621

FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta), 3.7A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 10V, 65 mOhm @ 4.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
DMC3730UFL3-7
Diodes Incorporated

DMC3730UFL3-7

부품 재고: 145530

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A, 700mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,

위시리스트에게
DMHC10H170SFJ-13
Diodes Incorporated

DMHC10H170SFJ-13

부품 재고: 133992

FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
DMP6110SSD-13
Diodes Incorporated

DMP6110SSD-13

부품 재고: 102694

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
FQS4900TF
ON Semiconductor

FQS4900TF

부품 재고: 117878

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 300V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A, 300mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 650mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 20mA,

위시리스트에게
NVMFD5C668NLT1G
ON Semiconductor

NVMFD5C668NLT1G

부품 재고: 46

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.5A (Ta), 68A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 50µA,

위시리스트에게
FDMS3660AS
ON Semiconductor

FDMS3660AS

부품 재고: 111729

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,

위시리스트에게
ECH8690-TL-H
ON Semiconductor

ECH8690-TL-H

부품 재고: 156738

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V,

위시리스트에게
NTMD6N03R2G
ON Semiconductor

NTMD6N03R2G

부품 재고: 188884

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게
ECH8657-TL-H
ON Semiconductor

ECH8657-TL-H

부품 재고: 165958

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V,

위시리스트에게
NVMFD5C466NWFT1G
ON Semiconductor

NVMFD5C466NWFT1G

부품 재고: 175

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 49A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA,

위시리스트에게
NTZD3158PT1G
ON Semiconductor

NTZD3158PT1G

부품 재고: 177029

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 430mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
FDMS3600AS
ON Semiconductor

FDMS3600AS

부품 재고: 89370

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,

위시리스트에게
ECH8668-TL-H
ON Semiconductor

ECH8668-TL-H

부품 재고: 150790

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4A, 4.5V,

위시리스트에게
NVMD4N03R2G
ON Semiconductor

NVMD4N03R2G

부품 재고: 187212

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게
FDMA1023PZ-F106
ON Semiconductor

FDMA1023PZ-F106

부품 재고: 63

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게
MTM763200LBF
Panasonic Electronic Components

MTM763200LBF

부품 재고: 150350

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A, 1.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA,

위시리스트에게
FC8V33030L
Panasonic Electronic Components

FC8V33030L

부품 재고: 192655

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 33V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 480µA,

위시리스트에게
TC6320K6-G
Microchip Technology

TC6320K6-G

부품 재고: 71235

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,

위시리스트에게
TC8020K6-G-M937
Microchip Technology

TC8020K6-G-M937

부품 재고: 11166

FET 유형: 6 N and 6 P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA,

위시리스트에게
LN60A01EP-LF
Monolithic Power Systems Inc.

LN60A01EP-LF

부품 재고: 56695

FET 유형: 3 N-Channel, Common Gate, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190 Ohm @ 10mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

위시리스트에게
SP8K24FRATB
Rohm Semiconductor

SP8K24FRATB

부품 재고: 123

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

위시리스트에게
TT8J2TR
Rohm Semiconductor

TT8J2TR

부품 재고: 170382

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

위시리스트에게