FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.34A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.05A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, 2.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A, 8.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A, 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 6.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.4 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 1.2V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 7A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A, 3.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.39A, 1.28A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc), 15A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta), 310mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.7A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA,
FET 유형: 3 N-Channel, Common Gate, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190 Ohm @ 10mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 16A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 28A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
