FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A, 80A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 32A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A, 1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 11A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.9 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 33V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 260µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A, 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 5.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 27A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, 26A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 16A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 22A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 66A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A, 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1.1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 4 N-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550 Ohm @ 2A, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,
FET 유형: 3 N-Channel, Common Gate, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190 Ohm @ 10mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,
