트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.4GHz, 이득: 17.7dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 860MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 20µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 920MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 48V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 920MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.03GHz, 이득: 20.3dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 2.17GHz, 이득: 18.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 960MHz, 이득: 19.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 230MHz, 이득: 26.1dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 450MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.3GHz, 이득: 14.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.03GHz, 이득: 19.7dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 2.62GHz ~ 2.69GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 48V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 4.5GHz ~ 6GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 2.7GHz ~ 3.1GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 24A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 2.5GHz, 이득: 21.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.805GHz ~ 1.88GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 1.2GHz ~ 1.4GHz, 이득: 19.22dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 18.1A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 1.03GHz ~ 1.09GHz, 이득: 21.3dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 82A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 100MHz ~ 500MHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 2.8A,
트랜지스터 유형: MESFET, 회수: 500MHz ~ 18GHz, 이득: 6.5dB, 전압-테스트: 3V, 현재 등급: 120mA, 노이즈 피겨: 1.8dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 7A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 17.3dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 7A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 3GHz ~ 3.5GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 50V,
