트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 790MHz ~ 820MHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0 ~ 4GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 8.7A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 1.4GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 24A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.69GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 5.2GHz ~ 5.9GHz, 이득: 11.2dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 24A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz, 이득: 14.3dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 860MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.92GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.3GHz, 이득: 22.7dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 16.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 960MHz, 이득: 16.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 230MHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 860MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 450MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 220MHz, 이득: 23.9dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 19.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.8MHz ~ 1.215GHz, 이득: 25.6dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 2µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.9GHz, 이득: 13.3dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 20A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 8A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 4A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 2A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 80MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 4mA,
회수: 2.7GHz ~ 3.5GHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 4.2A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 520MHz, 이득: 10.8dB, 전압-테스트: 7.2V, 현재 등급: 1A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 70MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 100V, 현재 등급: 10A,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 15mA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 3GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 50V,
