트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

FDD8426H

부품 재고: 2797

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

MMDF3N04HDR2G

부품 재고: 2776

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDS6892AZ

부품 재고: 2717

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS3601

부품 재고: 2704

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

FDG6301N_D87Z

부품 재고: 3287

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTJD4401NT4G

부품 재고: 2719

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6303N_D87Z

부품 재고: 2711

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS9957

부품 재고: 3327

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDS6982S

부품 재고: 2774

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 8.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS3600S

부품 재고: 63274

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,

FW216A-TL-2W

부품 재고: 153552

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 4.5A, 10V,

ECH8601M-TL-H

부품 재고: 2899

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA,

HUFA76413DK8T

부품 재고: 2732

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NTMD2C02R2G

부품 재고: 2750

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A, 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NVDD5894NLT4G

부품 재고: 89660

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NVMFD5853NWFT1G

부품 재고: 90403

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

NTHD4401PT1

부품 재고: 2644

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDZ2553N

부품 재고: 2739

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS9933BZ

부품 재고: 5427

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW9926A

부품 재고: 2756

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

VEC2415-TL-E

부품 재고: 3310

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA,

FDPC8011S

부품 재고: 43392

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 27A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

NTJD4105CT4

부품 재고: 2730

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA, 775mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2516NZ

부품 재고: 2695

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS8961

부품 재고: 2685

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NTLJD2104PTBG

부품 재고: 2768

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA,

ECH8660-S-TL-H

부품 재고: 2959

FDS6982

부품 재고: 2700

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 8.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8659-TL-H

부품 재고: 2892

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 3.5A, 10V,

FDQ7236AS

부품 재고: 2900

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A, 11A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

SSD2025TF

부품 재고: 2716

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

MMDF2C03HDR2

부품 재고: 2708

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A, 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

HUFA76404DK8T

부품 재고: 2700

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 62V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NDH8304P

부품 재고: 2758

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

MCH6604-TL-E

부품 재고: 142874

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

NTJD1155LT1

부품 재고: 2754

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,