트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

NVMFD5C470NLWFT1G

부품 재고: 277

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 36A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA,

FDMS3660S

부품 재고: 144159

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,

FDMD8440L

부품 재고: 9941

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 87A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS3686S

부품 재고: 98643

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 23A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,

SQJ500EPTR

부품 재고: 2970

VEC2616-TL-H-Z-W

부품 재고: 9922

NTMFD4902NFT3G

부품 재고: 98047

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A, 13.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SSD2007ATF

부품 재고: 2977

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

MMDF2P02HDR2G

부품 재고: 2922

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

FDS3992

부품 재고: 87571

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

NTLUD3A260PZTBG

부품 재고: 162644

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

FDPC3D5N025X9D

부품 재고: 97245

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.01 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDS8949

부품 재고: 64827

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8655R-TL-H

부품 재고: 174892

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

NDS8958

부품 재고: 2659

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,

NTHD3100CT3

부품 재고: 2692

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDY4001CZ

부품 재고: 2688

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, 150mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTMD6P02R2SG

부품 재고: 2763

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

MMDF3N04HDR2

부품 재고: 2667

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS3660S-F121

부품 재고: 2953

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,

NTMD2P01R2G

부품 재고: 2669

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 16V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

VEC2616-TL-H-Z

부품 재고: 2971

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V,

FDMC8200S_F106

부품 재고: 3352

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 8.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FW812-TL-E

부품 재고: 2832

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA,

NTLUD3191PZTBG

부품 재고: 2826

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

FDS8962C

부품 재고: 2774

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NTMC1300R2

부품 재고: 3306

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A, 1.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

FDW9926NZ

부품 재고: 2770

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDR8308P

부품 재고: 2748

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

EMH2407-TL-H

부품 재고: 165186

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V,

ECH8619-TL-E

부품 재고: 2845

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 1.5A, 10V,

FDZ2554P

부품 재고: 2769

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2501NZ

부품 재고: 2739

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDJ1032C

부품 재고: 2679

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A, 2.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTQD6968R2

부품 재고: 2684

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDW2512NZ

부품 재고: 2739

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,