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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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1HP04CH-TL-W
ON Semiconductor

1HP04CH-TL-W

부품 재고: 100908

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 Ohm @ 80mA, 10V,

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1HN04CH-TL-W
ON Semiconductor

1HN04CH-TL-W

부품 재고: 117115

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 270mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 140mA, 10V,

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2N7000-D75Z
ON Semiconductor

2N7000-D75Z

부품 재고: 99

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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2SK4094-1E
ON Semiconductor

2SK4094-1E

부품 재고: 20693

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

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2SJ661-1E
ON Semiconductor

2SJ661-1E

부품 재고: 57846

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

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2SK3746-1E
ON Semiconductor

2SK3746-1E

부품 재고: 15517

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK3703-1E
ON Semiconductor

2SK3703-1E

부품 재고: 40945

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

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2SJ652-1E
ON Semiconductor

2SJ652-1E

부품 재고: 33065

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 14A, 10V,

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2SK3745LS-1E
ON Semiconductor

2SK3745LS-1E

부품 재고: 18892

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK3747-1E
ON Semiconductor

2SK3747-1E

부품 재고: 15610

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK4177-DL-1E
ON Semiconductor

2SK4177-DL-1E

부품 재고: 30646

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SJ661-DL-1E
ON Semiconductor

2SJ661-DL-1E

부품 재고: 57287

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

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2N7000BU_T
ON Semiconductor

2N7000BU_T

부품 재고: 2253

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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2SK4066-DL-1EX
ON Semiconductor

2SK4066-DL-1EX

부품 재고: 2250

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK4065-DL-1EX
ON Semiconductor

2SK4065-DL-1EX

부품 재고: 2210

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

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2SJ661-1EX
ON Semiconductor

2SJ661-1EX

부품 재고: 2203

구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

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2SJ652-1EX
ON Semiconductor

2SJ652-1EX

부품 재고: 2120

구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

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2SK3816-DL-1EX
ON Semiconductor

2SK3816-DL-1EX

부품 재고: 2164

구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

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2SK3703-1EX
ON Semiconductor

2SK3703-1EX

부품 재고: 2124

구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

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2SJ661-DL-1EX
ON Semiconductor

2SJ661-DL-1EX

부품 재고: 2140

구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

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2SK4125-1EX
ON Semiconductor

2SK4125-1EX

부품 재고: 2103

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

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2SK4098FS
ON Semiconductor

2SK4098FS

부품 재고: 2085

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

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2SK4125-1E
ON Semiconductor

2SK4125-1E

부품 재고: 6248

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

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2SK536-MTK-TB-E
ON Semiconductor

2SK536-MTK-TB-E

부품 재고: 198740

구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V,

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2SK4099LS-1E
ON Semiconductor

2SK4099LS-1E

부품 재고: 1876

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 4A, 10V,

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2SK4124-1E
ON Semiconductor

2SK4124-1E

부품 재고: 6267

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

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2SK4087LS-1E
ON Semiconductor

2SK4087LS-1E

부품 재고: 1869

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

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2SK4088LS-1E
ON Semiconductor

2SK4088LS-1E

부품 재고: 1874

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 5.5A, 10V,

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2SK4066-DL-1E
ON Semiconductor

2SK4066-DL-1E

부품 재고: 1810

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK4085LS-1E
ON Semiconductor

2SK4085LS-1E

부품 재고: 1812

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

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2SK4066-1E
ON Semiconductor

2SK4066-1E

부품 재고: 1849

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK3820-DL-1E
ON Semiconductor

2SK3820-DL-1E

부품 재고: 1839

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

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2SK4065-DL-1E
ON Semiconductor

2SK4065-DL-1E

부품 재고: 1813

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK3748-1E
ON Semiconductor

2SK3748-1E

부품 재고: 10717

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

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2SK3816-DL-1E
ON Semiconductor

2SK3816-DL-1E

부품 재고: 1843

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

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2N7002WST1G
ON Semiconductor

2N7002WST1G

부품 재고: 1836

구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,

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