트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

NTZD3152PT5G

부품 재고: 2734

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 430mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

NDS9955

부품 재고: 2650

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4401NT4

부품 재고: 3343

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2521C

부품 재고: 2698

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 3.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDQ7698S

부품 재고: 2709

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8653-TL-H

부품 재고: 2909

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 8V,

EFC6611R-A-TF

부품 재고: 143033

HUFA76407DK8T

부품 재고: 2694

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8697R-TL-W

부품 재고: 174631

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 5A, 4.5V,

ECH8651R-TL-H

부품 재고: 196025

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 5A, 4.5V,

FDS4895C

부품 재고: 2830

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 4.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA,

ECH8651R-TL-HX

부품 재고: 2884

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 5A, 4.5V,

NTLJD3181PZTBG

부품 재고: 2812

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

NTMD6N02R2

부품 재고: 2688

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.92A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDMJ1028N

부품 재고: 2696

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS6994S

부품 재고: 3320

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A, 8.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NTHC5513T1

부품 재고: 2668

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 2.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NDS9943

부품 재고: 2643

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 3A, 10V,

FDS6961A_F011

부품 재고: 2716

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDSS2407

부품 재고: 105427

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 62V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

MVDF1N05ER2G

부품 재고: 2912

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

MMDF1N05ER2G

부품 재고: 2931

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDW2503NZ

부품 재고: 2736

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTZD3154NT2G

부품 재고: 2755

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

FDS4935

부품 재고: 2757

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FD6M045N06

부품 재고: 2803

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

NTLJD4116NT1G

부품 재고: 2763

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

FDS6894A

부품 재고: 2729

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ECH8664R-TL-H

부품 재고: 2888

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23.5 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

FDW2504P

부품 재고: 2772

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTLJD3115PTAG

부품 재고: 2743

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

NTLUD3191PZTAG

부품 재고: 2777

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

EMH2408-TL-H

부품 재고: 2843

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4.5V,

FDS8934A

부품 재고: 2753

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

MMDF2N02ER2G

부품 재고: 2690

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NTHD2102PT1G

부품 재고: 3360

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,