트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

NTND31225CZTAG

부품 재고: 21663

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Ta), 127mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

FW282-TL-E

부품 재고: 2908

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 6A, 10V,

VEC2616-TL-H

부품 재고: 2969

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA,

FDMS3616S

부품 재고: 2851

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 18A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDW2507NZ

부품 재고: 2692

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTQD6968NR2G

부품 재고: 2683

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NDS9925A

부품 재고: 2695

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

NTZD3154NT1H

부품 재고: 188943

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

ECH8675-TL-H

부품 재고: 2918

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V,

FDS6984S

부품 재고: 2757

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 8.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NDS9942

부품 재고: 2712

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 1A, 10V,

NTMD2P01R2

부품 재고: 2666

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 16V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDJ1027P

부품 재고: 2758

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS9956A

부품 재고: 2657

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,

NTHD5905T1

부품 재고: 2720

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA,

MMDF2N02ER2

부품 재고: 2712

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NDM3000

부품 재고: 2702

FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NDS8926

부품 재고: 2667

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

EMH2407-S-TL-H

부품 재고: 2884

NTND3184NZTAG

부품 재고: 107176

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

FW344A-TL-2W

부품 재고: 2933

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 4.5A, 10V,

CPH5617-TL-E

부품 재고: 186363

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

FDW2503N

부품 재고: 2761

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2506P

부품 재고: 2777

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5.3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

MMDF2P02ER2G

부품 재고: 2699

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NDS8947

부품 재고: 3294

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,

NTZD3152PT1H

부품 재고: 106213

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 430mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

NTGD4161PT1G

부품 재고: 2811

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDC6020C

부품 재고: 2737

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A, 4.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTMD5836NLR2G

부품 재고: 2882

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, 5.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NTTD1P02R2G

부품 재고: 2740

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.45A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

FDW2601NZ

부품 재고: 2725

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6314P

부품 재고: 2687

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V,

FDC6322C

부품 재고: 2713

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, 460mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTLGD3502NT1G

부품 재고: 2831

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, 3.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

NTLJD2105LTBG

부품 재고: 2816

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,