트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MCH6602-TL-E

부품 재고: 191190

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

FDS6898A_NF40

부품 재고: 2814

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS8852H

부품 재고: 2661

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,

FW811-TL-E

부품 재고: 3294

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA,

VEC2616-TL-W-Z

부품 재고: 199667

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA,

NTHD3100CT3G

부품 재고: 2772

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NTZD3156CT2G

부품 재고: 2761

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA, 430mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

FDW2507N

부품 재고: 2689

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2501N

부품 재고: 2746

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2508PB

부품 재고: 2726

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDZ2554PZ

부품 재고: 2723

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS8858H

부품 재고: 2706

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 4.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,

NTZD3156CT5G

부품 재고: 2782

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA, 430mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

NVMFD5875NLWFT3G

부품 재고: 166888

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS3604AS

부품 재고: 3375

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 23A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,

NTJD2152PT2G

부품 재고: 2773

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 775mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

EFC6602R-A-TR

부품 재고: 185435

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDS3912

부품 재고: 2754

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

EFC6617R-A-TF

부품 재고: 135371

NTHD4401PT1G

부품 재고: 2836

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NDS9953A

부품 재고: 2676

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,

FDS3812

부품 재고: 2733

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

FDG6320C_D87Z

부품 재고: 2690

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, 140mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ECH8651R-R-TL-H

부품 재고: 2871

FDJ1028N

부품 재고: 2716

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDMA1029PZ

부품 재고: 178279

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDC6036P_F077

부품 재고: 2788

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS6812A

부품 재고: 2711

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6302P

부품 재고: 2666

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 140mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTQD4154ZR2

부품 재고: 2660

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTTD1P02R2

부품 재고: 2729

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.45A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

NTJD4105CT2

부품 재고: 2725

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA, 775mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FW813-TL-H

부품 재고: 2907

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5A, 10V,

MMDF1N05ER2

부품 재고: 2640

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD2152PT4G

부품 재고: 2775

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 775mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

NTLJD3119CTAG

부품 재고: 2878

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,