트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

FW276-TL-2H

부품 재고: 3348

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.1 Ohm @ 350mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA,

NVMD6N03R2G

부품 재고: 2901

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

MCH6601-TL-E

부품 재고: 168759

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

NTQD6866R2G

부품 재고: 2711

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NTUD3128NT5G

부품 재고: 2747

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

NTLJD3181PZTAG

부품 재고: 2807

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

FDY4000CZ

부품 재고: 130404

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA, 350mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6318P

부품 재고: 123017

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ECH8667-TL-HX

부품 재고: 2888

EFC4618R-P-TR

부품 재고: 2908

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

ECH8653-S-TL-H

부품 재고: 2924

MCH6603-TL-H

부품 재고: 2889

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 1.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

FDMS9620S

부품 재고: 127765

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

EMH2417R-TL-H

부품 재고: 156902

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA,

FDW2511NZ

부품 재고: 2697

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS9947

부품 재고: 2668

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4001NT1

부품 재고: 2735

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA,

FDS6993

부품 재고: 2762

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, 6.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4105CT4G

부품 재고: 2731

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA, 775mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTJD2152PT1G

부품 재고: 2674

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 775mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

NTMFD4C86NT3G

부품 재고: 29372

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.3A, 18.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

NTJD4158CT2G

부품 재고: 2806

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA, 880mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA,

NTHD4401PT3

부품 재고: 2756

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FQS4901TF

부품 재고: 139071

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 225mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

FDS4885C

부품 재고: 2726

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA,

HUF76407DK8T

부품 재고: 2709

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NTHD3100CT1

부품 재고: 2734

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

ECH8662-TL-H

부품 재고: 2834

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

FDQ7238AS

부품 재고: 2841

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A, 11A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.2 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NTQD6866R2

부품 재고: 2733

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

EFC4618R-TR

부품 재고: 2913

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard,

SSD2007ASTF

부품 재고: 2740

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

FD6M033N06

부품 재고: 2812

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

FDS6912

부품 재고: 99723

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDM2509NZ

부품 재고: 2731

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTUD3127CT5G

부품 재고: 2739

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA, 140mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,