트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

FDS8926A

부품 재고: 2702

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

FDW2502P

부품 재고: 2769

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2508P

부품 재고: 2776

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDD8424H-F085A

부품 재고: 2940

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, 6.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC6612R-A-TF

부품 재고: 2936

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

ECH8652-TL-H

부품 재고: 2893

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 4.5V,

NTHD4102PT3G

부품 재고: 2764

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI9936DY

부품 재고: 2776

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

NDC7002N_SB9G007

부품 재고: 2756

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 510mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FW906-TL-E

부품 재고: 2911

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

VEC2315-TL-H

부품 재고: 2838

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 1.5A, 10V,

EMH2314-TL-H

부품 재고: 198673

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

NTLJD3183CZTBG

부품 재고: 2772

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, 2.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

NTHC5513T1G

부품 재고: 148927

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 2.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NVJD5121NT1G

부품 재고: 163473

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 295mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

MCH6606-TL-E

부품 재고: 2897

EFC6611R-TF

부품 재고: 136094

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

NTHD3100CT1G

부품 재고: 110314

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDS8958

부품 재고: 2722

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDC6020C_F077

부품 재고: 2752

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A, 4.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDC6036P

부품 재고: 3318

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDD8424H_F085

부품 재고: 2811

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, 6.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

USB10H

부품 재고: 2674

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

MCH6662-TL-H

부품 재고: 2857

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1A, 4.5V,

MCH6613-TL-E

부품 재고: 167978

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA, 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

FDG6313N

부품 재고: 2667

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTMFD4C88NT1G

부품 재고: 36648

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A, 14.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

NTLJD2104PTAG

부품 재고: 2796

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA,

FDG6304P_D87Z

부품 재고: 2747

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 410mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5489NLT3G

부품 재고: 103434

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

EMH2412-TL-H

부품 재고: 2854

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 3A, 4.5V,

NTZD3156CT1G

부품 재고: 2797

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA, 430mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

HUFA76504DK8T

부품 재고: 2775

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC4627R-A-TR

부품 재고: 134119

NSTJD1155LT1G

부품 재고: 2852

ECH8659-M-TL-H

부품 재고: 2889

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 3.5A, 10V,