트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MMDF2C03HDR2G

부품 재고: 3144

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A, 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC8811R-TF

부품 재고: 164408

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

NVMFD5C674NLWFT1G

부품 재고: 6508

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 42A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 25µA,

NTLUD3A50PZTBG

부품 재고: 190294

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

NVMFD5483NLWFT1G

부품 재고: 63618

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FD6M016N03

부품 재고: 2999

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC2J017NUZTDG

부품 재고: 166927

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA,

FDMS3669S

부품 재고: 164375

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 18A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,

EFC4627R-TR

부품 재고: 182266

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDG6332C

부품 재고: 126485

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA, 600mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDC6303N

부품 재고: 175306

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FW216A-TL-2WX

부품 재고: 3039

ECH8691-TL-W

부품 재고: 147834

NVMFD5489NLWFT3G

부품 재고: 97513

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDS6961A

부품 재고: 151064

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C478NLWFT1G

부품 재고: 6481

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Ta), 29A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA,

FDMD8280

부품 재고: 48032

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

EFC4621R-TR

부품 재고: 191534

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDG6304P-X

부품 재고: 2943

FDZ1905PZ

부품 재고: 141781

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 126 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

FDS4897AC

부품 재고: 185708

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A, 5.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4105CT2G

부품 재고: 142228

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA, 775mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

EFC2J004NUZTDG

부품 재고: 16565

FDG6335N

부품 재고: 139409

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FTCO3V455A1

부품 재고: 2644

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.66 mOhm @ 80A, 10V,

FDC6301N_G

부품 재고: 3340

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6303N

부품 재고: 133613

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDC7002N

부품 재고: 180782

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 510mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NTMFD4902NFT1G

부품 재고: 169718

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A, 13.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

NTD5C668NLT4G

부품 재고: 10795

FET 유형: N-Channel, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 48A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,

FDG6318PZ

부품 재고: 145958

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6303N_G

부품 재고: 2999

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FQS4903TF

부품 재고: 95372

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 370mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2 Ohm @ 185mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

FDMS7608S

부품 재고: 172353

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC6617R-TF

부품 재고: 3361

FDC6318P

부품 재고: 132159

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,