트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 800MHz, 전압-테스트: 9V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 2dB,
트랜지스터 유형: MESFET Dual Gate, 회수: 800MHz, 현재 등급: 40mA, 노이즈 피겨: 2dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 400MHz, 이득: 30dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 0.9dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 800MHz, 현재 등급: 40mA, 노이즈 피겨: 2dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 400MHz, 이득: 30dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 400MHz, 이득: 30.5dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 0.9dB,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 100MHz, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1.5dB,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 6.5mA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.45GHz, 이득: 15.2dB, 전압-테스트: 32V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.17GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.7GHz, 이득: 28.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz ~ 2.5GHz, 이득: 13.5dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 15.2dB, 전압-테스트: 7.5V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.3GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 220MHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 17.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 1MHz ~ 2.7GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 5mA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 860MHz, 이득: 19.3dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 700MHz ~ 1.3GHz, 이득: 20.4dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz ~ 2.5GHz, 이득: 14.1dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 19.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.96GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 230MHz, 이득: 24dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 30MHz ~ 2.2GHz, 이득: 18.4dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.88GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 16.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.14GHz, 이득: 18.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 700MHz ~ 1.3GHz, 이득: 20.6dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.14GHz, 이득: 16.2dB, 전압-테스트: 28V,
