메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 클록 주파수: 400kHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 100kHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 100kHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: CAM, 메모리 크기: 1Mb (16K x 64), 클록 주파수: 50MHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 클록 주파수: 100kHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 100kHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 400kHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,
