트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 15.2dB, 전압-테스트: 7.5V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 17.2dB, 전압-테스트: 12.5V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.69GHz, 이득: 14.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.88GHz ~ 1.91GHz, 이득: 17.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.5GHz, 이득: 14.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz, 이득: 18.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 14.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.69GHz, 이득: 15.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.88GHz, 이득: 15.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.3GHz ~ 2.4GHz, 이득: 15.6dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 520MHz, 이득: 18.3dB, 전압-테스트: 7.5V,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 15mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 7mA,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 200MHz, 전압-테스트: 4V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 200MHz, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1dB,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 100MHz, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1.5dB,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 800MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 1.7dB,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 25mA,
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate, 회수: 200MHz, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 40mA, 노이즈 피겨: 1.2dB,
트랜지스터 유형: N-Channel, 현재 등급: 10mA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 2.5GHz ~ 2.69GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.3GHz ~ 2.4GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.81GHz ~ 1.88GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 952.5MHz ~ 957.5MHz, 이득: 20.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 700MHz ~ 1GHz, 이득: 21dB,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 700MHz ~ 1GHz, 이득: 20.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 700MHz ~ 2.2GHz, 이득: 27dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.5GHz ~ 2.7GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 12A,
