트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

BUK7K6R2-40E/CX

부품 재고: 3020

PHN210,118

부품 재고: 3099

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA,

SI9936DY,518

부품 재고: 3387

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

PMGD130UN,115

부품 재고: 2962

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

PMDPB42UN,115

부품 재고: 2988

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

PMDPB28UN,115

부품 재고: 3299

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

PMDPB95XNE,115

부품 재고: 2864

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

PMDPB65UP,115

부품 재고: 2646

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

PMWD16UN,518

부품 재고: 2709

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA,

PMWD15UN,518

부품 재고: 2710

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA,

PMDPB56XN,115

부품 재고: 2868

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

PMDPB38UNE,115

부품 재고: 2910

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

PMWD20XN,118

부품 재고: 2630

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,

PMGD175XN,115

부품 재고: 3339

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

PMGD400UN,115

부품 재고: 2691

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 710mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

PMWD19UN,518

부품 재고: 2726

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA,

PMWD26UN,518

부품 재고: 2668

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA,

PMWD30UN,518

부품 재고: 2661

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA,

PMGD8000LN,115

부품 재고: 2617

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 125mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA,