트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.4GHz, 이득: 17.7dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz ~ 2.025GHz, 이득: 15.9dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz, 이득: 16.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 720MHz ~ 960MHz, 이득: 18.9dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.88GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.11GHz ~ 2.2GHz, 이득: 16.8dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 960MHz ~ 1.22GHz, 이득: 19.6dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 920MHz, 이득: 21.5dB, 전압-테스트: 48V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 15.7dB, 전압-테스트: 12.5V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.58GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.5GHz, 이득: 14.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.81GHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.84GHz, 이득: 20.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.69GHz, 이득: 31.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.805GHz ~ 1.995GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 17.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 19.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.2GHz, 이득: 15.7dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.03GHz ~ 1.09GHz, 이득: 19.2dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.03GHz ~ 1.09GHz, 이득: 19.2dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.5GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz, 이득: 16.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.7GHz ~ 3.1GHz, 이득: 17.2dB, 전압-테스트: 32V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 720MHz ~ 960MHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.88GHz ~ 1.91GHz, 이득: 17.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.4GHz ~ 3.6GHz, 이득: 15.7dB, 전압-테스트: 48V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 19.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 19.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 520MHz, 이득: 17.7dB, 전압-테스트: 13.6V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 17.6dB, 전압-테스트: 28V,
