트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 450MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 220MHz, 이득: 23.9dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 19.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.8MHz ~ 1.215GHz, 이득: 25.6dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 2µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.9GHz, 이득: 13.3dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 230MHz, 이득: 26.5dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.4GHz, 이득: 17.7dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.99GHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 860MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.3GHz, 이득: 14.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.034GHz, 이득: 19.6dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 820MHz, 이득: 20.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.03GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.09GHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.8MHz ~ 470MHz, 이득: 24dB, 현재 등급: 100mA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 2.5GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 960MHz, 이득: 19.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 1.93GHz, 이득: 17.8dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.8MHz ~ 500MHz, 이득: 22.5dB,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.14GHz, 이득: 18.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.3GHz, 이득: 22.7dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 2.45GHz,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.45GHz, 이득: 15.2dB, 전압-테스트: 32V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 920MHz, 이득: 23.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 512MHz, 이득: 26dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 1MHz ~ 2.7GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 5mA,
