트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 2.32GHz, 이득: 14.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 15.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 21.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.4GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.4GHz ~ 3.6GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 895MHz, 이득: 21.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.03GHz, 이득: 19.7dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 920MHz, 이득: 19.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.8MHz ~ 1.215GHz, 이득: 25.6dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 7µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.98GHz ~ 2.01GHz, 이득: 14.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 220MHz, 이득: 23.9dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz ~ 2.5GHz, 이득: 15.9dB,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.99GHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.8MHz ~ 500MHz, 이득: 23dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.3GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 860MHz, 이득: 19.3dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 230MHz, 이득: 26.5dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.92GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.03GHz, 이득: 20.3dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.03GHz, 이득: 19.6dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.45GHz, 이득: 14.7dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.81GHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 2.5GHz, 이득: 16.6dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 960MHz, 이득: 18.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 27MHz ~ 250MHz, 이득: 18.7dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 920MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 48V,
