커패시턴스 @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.35pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 6.5pF @ 10V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C10, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.45pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.1, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 8.7pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 13.7pF @ 8V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.6, 커패시턴스 비율 조건: C3/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 7.1pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2pF @ 10V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.4, 커패시턴스 비율 조건: C2/C10, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 3pF @ 25V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 12.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 34V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.4pF @ 2.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.5, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 13.5pF @ 4.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 5.41, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4.5, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 6.5pF @ 10V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3, 커패시턴스 비율 조건: C2/C10, 전압-피크 역방향 (최대): 16V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 19.75pF @ 8V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.42, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 18V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 13pF @ 8V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.8, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 18V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.1pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.6, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 26.3pF @ 8V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C7.5, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.055pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 16, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 11.2pF @ 2.3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.5, 커패시턴스 비율 조건: C0.2/C2.3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.4pF @ 7.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 5.2, 커패시턴스 비율 조건: C1/C7.5, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.754pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 15, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 25.5pF @ 8V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.8, 커패시턴스 비율 조건: C1/C7.5, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.4pF @ 7.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.9, 커패시턴스 비율 조건: C1/C7.5, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
